طرح جيلا جديد من ذاكرة الوصول العشوائي

أعلنت شركة سامسونغ (Samsung) عن تطوير رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة، والتي أطلقت عليها تسمية “دي دي آر5” (DDR5)، وهي تقنية مهمة لما تعتقد الشركة أنه سيكون الاختراق القادم “للحوسبة من الجيل التالي”. وتجلب الرقائق الجديدة المزيد من الأداء وكفاءة الطاقة إلى صناعة الرقاقات، على الرغم من أنها تحتاج إلى عملية تصنيع تعتمد على تقنية “إي يو في” (EUV) باهظة الثمن.

وأكملت سامسونغ بالتعاون مع شركة “إيه إم دي” (AMD) تطوير رقائق “دي رام” (DRAM) بسعة 16 غيغابت، والتي ستستخدم “أول تقنية معالجة من فئة 12 نانومتر في الصناعة”. وتصف الشركة الكورية هذه الرقائق الجديدة بأنها “قفزة تقنية” للصناعة. وساعدت “إيه إم دي” في تقييم المنتج للتوافق مع وحدات المعالجة المركزية، القائمة على تقنية هندسة الرقاقات الخاصة بها، والمعروفة باسم زين (Zen).

بالاستفادة من أحدث معايير دي دي آر5 ، توضح سامسونغ أن الرقائق الجديدة ستصل لسرعات 7.2 غيغابت في الثانية. مما سيسمح لوحدات ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة بمعالجة فيلمين فائق الدقة، بحجم 30 غيغابايت في ثانية واحدة فقط.

يتم تصنيع رقائق 12 نانومتر باستخدام عملية الطباعة الحجرية متعددة الطبقات بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة “إيه يو في” (EUV)، وهي أغلى من آلية الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية العميقة “دي يو في” (DUV) المستخدمة تقليديًا لإنتاج الذاكرة. استخدمت سامسونغ -أيضًا- مادة جديدة عالية العزل تعمل على زيادة سعة الخلية، وتقنية تصميم خاصة تعمل على تحسين خصائص الدوائر الكهربائية.

ستبدأ سامسونغ الإنتاج الضخم لرقائق “دي دي آر5” 12 نانومتر في عام 2023،  وتشمل قطاعات السوق التي تستهدفها سامسونغ حوسبة الجيل التالي، ومراكز البيانات، والأنظمة التي تعتمد على الذكاء الاصطناعي.

وستتمكّن الشركات العاملة في تلك الأسواق بعد ذلك من الوصول إلى أداء أسرع، مع زيادة الاستدامة وكفاءة الطاقة.
وقال نائب الرئيس التنفيذي لمنتجات الذواكر في سامسونغ جويونغ لي، إن “الذاكرة الجديدة سعة 12 نانومتر ستكون عاملًا رئيسيًا في دفع السوق إلى مستوى أعلى”.

وأبرز نائب الرئيس الأول في “إيه إم دي” جو ماكري، أن “إبداع المنتجات الجديدة يتطلّب -غالبًا- تعاونًا وثيقًا مع شركاء الصناعة، لدفع حدود التقنية”